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新聞詳情
三菱igbt模塊的性能特性
日期：2025-07-27 00:02
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摘要：
三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術(shù):低飽和壓降Vce(sat), 低開(kāi)關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。
ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類(lèi)溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過(guò)采用氮化鋁AlN絕緣層實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性
成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小
比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN...
三菱igbt模塊采用新的CSTBTTM硅片技術(shù):低飽和壓降Vce(sat), 低開(kāi)關(guān)損耗Esw(on), Esw(off)。高短路耐受能力。
ΔT(j-f)性能優(yōu)于歐洲的同類(lèi)溝槽型IGBT模塊
采用歐式熱阻定義Rth(j-c)和Rth(c-f)，通過(guò)采用氮化鋁AlN絕緣層實(shí)現(xiàn)優(yōu)良的熱阻特性
成本優(yōu)化的封裝，低阻抗封裝(A系列1單元除外)
飽和壓降低、短路承受能力強(qiáng)、驅(qū)動(dòng)功率小
比同等級(jí)其他溝槽型IGBT電流輸出能力高10%，在相同輸出電流時(shí)ΔT(j-f)低15%
內(nèi)置導(dǎo)熱性能優(yōu)異的氮化鋁(AlN)絕緣基層，通過(guò)調(diào)整底板與氮化鋁絕緣層之間的焊接層厚度來(lái)改善溫度循環(huán)能力Δ Tc (焊接層疲勞)，熱阻小
模塊內(nèi)部寄生電感小，減小柵極電容:柵極驅(qū)動(dòng)功率近似于平面型IGBTs
功率循環(huán)能力顯著改善，采用新的導(dǎo)線(xiàn)焊接工藝大大提高功率循環(huán)能力ΔTj (導(dǎo)線(xiàn)連接疲勞)。
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